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Haus ProdukteVorübergehende Spannungs-entstör-Diode

Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

Bescheinigung
Gute Qualität Automobilblattsicherungen en ventes
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Unser Projekt ist sehr schwierig. Zhuolun-Team half uns erfolgreich, die Kosten zu verringern und die Leistungsfähigkeit des Projektes zu erhöhen. Danke!

—— Alcatel Lucent

Ernste und verantwortliche Berufshaltung und in hohem Grade Berufsarbeitsart haben effektiv die Durchführung unseres Projektes gefördert.

—— Labram Adams

Ein vertrauenswürdiger Freund löste schnell mein Problem.

—— Alfred

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Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

China Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7 fournisseur

Großes Bild :  Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Julun
Zertifizierung: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Modellnummer: PG-TO 252-3

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 100 / Verkäuflich
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Standard Verpackung
Lieferzeit: 7 ~ 10 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000/Piece/Weekly
Contact Now
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Case: PG-TO 252-3 Elektrode: 3
Polarität: Wie markiert Montageposition: keine

 

Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

 

 

Eigenschaften
• Extrem - niedrige Verluste wegen sehr niedrigen *Qg FOM RDS (an) und *Eoss RDS (an)
• Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
• Integrierte ESD-Schutzdiode
• Niedrige Schaltungsverluste (Eoss)
• Produktbestätigungs-ACC. JEDEC-Standard

 

Nutzen
• Wettbewerbsfähige Technologie der Kosten
• Niedrigere Temperatur
• Hohe ESD-Rauheit
• Ermöglicht Leistungsfähigkeits-Gewinnen bei höheren Schaltfrequenzen
• Ermöglicht Dichteentwürfen der hohen Leistung und kleinen Formfaktoren

 

Mögliche Anwendungen
Zum Beispiel empfohlen für die Rücklauftopologien verwendet in den Ladegeräten,
Adapter, Anwendungen, etc. beleuchtend.

 

Schlüsselleistungs-und Paket-Parameter

 

Parameter Wert Einheit
VDS @ Tj=25°C 700 V
RDS (an), maximal 1,4 Ω
Qg, Art 4,7 nC
Identifikation, Impuls 8,2 A
Eoss @ 400V 0,6 μJ
V (GS) Th, Art 3 A
Esd-Klasse (HBM) 1C /

 

Schreiben Sie/Einrichtungs-Code Paket Markierung Verwandte Links
IPD70R1K4P7S PG-TO 252-3 70S1K4P7 sehen Sie Anhang A

 

 

Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

 

FAQ


Q: Was kann ich tun, wenn ich eine defekte Produktform A-TEAM SICHERUNG Inc. erhielt?
A: Bitte zuerst sagen uns, dass so bald wie möglich, nachdem wir schicken, Ihnen ein Neues sofort aber uns bitte das defekte Produkt schicken, .you nicht um die Frachtgebühr sich sorgen müssen, die wir für das zahlen.
Q; Sind wir ein Importeur oder ein Hersteller?
A; Wir sind ein Hersteller
Q: Warum Sie uns wählen müssen
A: Qualitätssicherung. Der konkurrenzfähigste Preis und das schnelle Verschiffen


Bitte sagen Sie mir:
Welche Produktbeschreibungen benötigen Sie? wenn Sie um ein Zitat bitten. Ich gebe Ihnen den konkurrenzfähigsten Preis pro als Ihre Anforderungen. Und wir haben viele Arten, damit Sie wählen.


P.S.: Wenn Sie keine Produkte finden können, um Ihre Bedingungen zu erfüllen. begrüßen Sie, um uns die Ausschnittskizzen zu schicken, damit wir uns unsere Berufs- u. beste Dienstleistung Ihnen erbringen können.

Kontaktdaten
dongguan Julun electronics co.,ltd

Ansprechpartner: Julun

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