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Haus ProdukteVorübergehende Spannungs-entstör-Diode

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Bescheinigung
Gute Qualität Automobilblattsicherungen en ventes
Gute Qualität Automobilblattsicherungen en ventes
Unser Projekt ist sehr schwierig. Zhuolun-Team half uns erfolgreich, die Kosten zu verringern und die Leistungsfähigkeit des Projektes zu erhöhen. Danke!

—— Alcatel Lucent

Ernste und verantwortliche Berufshaltung und in hohem Grade Berufsarbeitsart haben effektiv die Durchführung unseres Projektes gefördert.

—— Labram Adams

Ein vertrauenswürdiger Freund löste schnell mein Problem.

—— Alfred

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Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

China Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE fournisseur

Großes Bild :  Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Julun
Zertifizierung: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Modellnummer: PG-TO 220

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 100 / Verkäuflich
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Standard Verpackung
Lieferzeit: 7 ~ 10 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000/Piece/Weekly
Contact Now
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Case: TO220 Elektrode: 3
Polarität: Wie markiert Montageposition: keine

 

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

 

 

 

Beschreibung
CoolMOS™-CER ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungsenergie
MOSFETs. Die Hochspannungsfähigkeit kombiniert Sicherheit mit Leistung
und Rauheit, zum von Stallentwürfen auf Niveau der höchsten Leistungsfähigkeit zu erlauben.
CER CoolMOS™ 800V kommt mit dem vorgewählten Paketwahl-Angebot
Nutzen von verringerten Systemkosten und von höherer Energiedichte entwirft.
Eigenschaften
• Hochspannungstechnik
• Extremes dv/dt veranschlagt
• Hohe Spitzenstromfähigkeit
• Niedrige Torgebühr
• Niedrige effektive Kapazitanzen
• Pb-freier Überzug, RoHS konform, freies Formmittel des Halogens
• Qualifiziert für Verbrauchergradanwendungen

 

Anwendungen
LED-Beleuchtung für Umbauanwendungen in der QR-Rücklauftopologie

 

 

Schlüsselleistungs-und Paket-Parameter


 

Parameter Wert Einheit
VDS @ Tj=25°C 800 V
RDS (an), maximal 1400
Qg.typ 23 nC
Identifikation, Impuls 12 A
Eoss@400V 1,8 μJ
Körperdiode di/dt 400 A/μs

 

Schreiben Sie/Einrichtungs-Code Paket Markierung Verwandte Links
IPA80R1K4CE PG-TO 220 FullPAK 8R1K4CE sehen Sie Anhang A

 

 

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Maße umfassen nicht Formblitz, Vorwölbungen oder Torgrate

 

 

FAQ


Q: Was kann ich tun, wenn ich eine defekte Produktform A-TEAM SICHERUNG Inc. erhielt?
A: Bitte zuerst sagen uns, dass so bald wie möglich, nachdem wir schicken, Ihnen ein Neues sofort aber uns bitte das defekte Produkt schicken, .you nicht um die Frachtgebühr sich sorgen müssen, die wir für das zahlen.
Q; Sind wir ein Importeur oder ein Hersteller?
A; Wir sind ein Hersteller
Q: Warum Sie uns wählen müssen
A: Qualitätssicherung. Der konkurrenzfähigste Preis und das schnelle Verschiffen


Bitte sagen Sie mir:
Welche Produktbeschreibungen benötigen Sie? wenn Sie um ein Zitat bitten. Ich gebe Ihnen den konkurrenzfähigsten Preis pro als Ihre Anforderungen. Und wir haben viele Arten, damit Sie wählen.


P.S.: Wenn Sie keine Produkte finden können, um Ihre Bedingungen zu erfüllen. begrüßen Sie, um uns die Ausschnittskizzen zu schicken, damit wir uns unsere Berufs- u. beste Dienstleistung Ihnen erbringen können.

Kontaktdaten
dongguan Julun electronics co.,ltd

Ansprechpartner: Julun

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)