• Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor
Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Julun
Zertifizierung: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Modellnummer: PG-TO 220FP

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 100 / Verkäuflich
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Standard Verpackung
Lieferzeit: 7 ~ 10 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/P, T/T,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000/Piece/Weekly
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Case: TO220FP Elektrode: 3
Polarität: Wie markiert Montageposition: keine
Markieren:

hohe gegenwärtige Schottky-Diode

,

Schottky Barrier Diode

Produkt-Beschreibung

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOSª P7 MOS-Rohr

Eigenschaften
• Beste in klassefom RDS (an) * Eoss; verringertes Qg, Ciss und Coss
• Beste in klassedpak RDS (an)
• Beste in klasse Th V (GS) von 3V und kleinste Thveränderung V (GS) von ±0.5V
• Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz
• Völlig - qualifiziertes ACC. JEDEC für industrielle Anwendungen
• Völlig optimiertes Portfolio

Nutzen
• Beste in klasseleistung
• Höherer Energiedichte ermöglichend, entwirft, BOM-Einsparungen und senken
Montagekosten
• Einfach, und zur Ähnlichkeit zu fahren
• Besserer Produktionsertrag, indem er ESD verringerte, bezog sich Ausfälle
• Weniger Produktionsfragen und verringerte Feldrückkehr
• Einfach, rechte Teile für das Einstellen von Entwürfen vorzuwählen

Mögliche Anwendungen
Empfohlen für die harten und weichen Schaltungsrücklauftopologien für LED
Beleuchtung, Ladegeräte der geringen Energie und Adapter, Audio, ZUSATZenergie und
Wirtschaftsmacht. Auch passend für PFC-Stadium in den Verbraucheranwendungen
und Solar.

Schlüsselleistungs-und Paket-Parameter

Parameter Wert Einheit
VDS @ Tj=25°C 800 V
RDS (an), maximal 1,4 Ω
Qg.typ 10 nC
Identifikation 4 A
Eoss@500V 0,9 μJ
VGS (Th), Art 3 V
Esd-Klasse (HBM) 2 /

Schreiben Sie/Einrichtungs-Code Paket Markierung Verwandte Links
IPA80R1K4P7 PG-TO 220 FullPAK 80R1K4P7 sehen Sie Anhang A

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor 0

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor 1

MASSE UMFASSEN NICHT FORM-BLITZ, VORWÖLBUNGEN ODER TOR-GRATE.

FAQ


Q: Was kann ich tun, wenn ich eine defekte Produktform A-TEAM SICHERUNG Inc. erhielt?
A: Bitte zuerst sagen uns, dass so bald wie möglich, nachdem wir schicken, Ihnen ein Neues sofort aber uns bitte das defekte Produkt schicken, .you nicht um die Frachtgebühr sich sorgen müssen, die wir für das zahlen.
Q; Sind wir ein Importeur oder ein Hersteller?
A; Wir sind ein Hersteller
Q: Warum Sie uns wählen müssen
A: Qualitätssicherung. Der konkurrenzfähigste Preis und das schnelle Verschiffen


Bitte sagen Sie mir:
Welche Produktbeschreibungen benötigen Sie? wenn Sie um ein Zitat bitten. Ich gebe Ihnen den konkurrenzfähigsten Preis pro als Ihre Anforderungen. Und wir haben viele Arten, damit Sie wählen.


P.S.: Wenn Sie keine Produkte finden können, um Ihre Bedingungen zu erfüllen. begrüßen Sie, um uns die Ausschnittskizzen zu schicken, damit wir uns unsere Berufs- u. beste Dienstleistung Ihnen erbringen können.

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.