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Haus ProdukteVorübergehende Spannungs-entstör-Diode

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Bescheinigung
Gute Qualität Automobilblattsicherungen en ventes
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Unser Projekt ist sehr schwierig. Zhuolun-Team half uns erfolgreich, die Kosten zu verringern und die Leistungsfähigkeit des Projektes zu erhöhen. Danke!

—— Alcatel Lucent

Ernste und verantwortliche Berufshaltung und in hohem Grade Berufsarbeitsart haben effektiv die Durchführung unseres Projektes gefördert.

—— Labram Adams

Ein vertrauenswürdiger Freund löste schnell mein Problem.

—— Alfred

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Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

China Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor fournisseur

Großes Bild :  Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Julun
Zertifizierung: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Modellnummer: PG-TO 220FP

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 100 / Verkäuflich
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Standard Verpackung
Lieferzeit: 7 ~ 10 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000/Piece/Weekly
Contact Now
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Case: TO220FP Elektrode: 3
Polarität: Wie markiert Montageposition: keine

 

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOSª P7 MOS-Rohr

 

 

 

Eigenschaften
• Beste in klassefom RDS (an) * Eoss; verringertes Qg, Ciss und Coss
• Beste in klassedpak RDS (an)
• Beste in klasse Th V (GS) von 3V und kleinste Thveränderung V (GS) von ±0.5V
• Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz
• Völlig - qualifiziertes ACC. JEDEC für industrielle Anwendungen
• Völlig optimiertes Portfolio

 

Nutzen
• Beste in klasseleistung
• Höherer Energiedichte ermöglichend, entwirft, BOM-Einsparungen und senken
Montagekosten
• Einfach, und zur Ähnlichkeit zu fahren
• Besserer Produktionsertrag, indem er ESD verringerte, bezog sich Ausfälle
• Weniger Produktionsfragen und verringerte Feldrückkehr
• Einfach, rechte Teile für das Einstellen von Entwürfen vorzuwählen

 

Mögliche Anwendungen
Empfohlen für die harten und weichen Schaltungsrücklauftopologien für LED
Beleuchtung, Ladegeräte der geringen Energie und Adapter, Audio, ZUSATZenergie und
Wirtschaftsmacht. Auch passend für PFC-Stadium in den Verbraucheranwendungen
und Solar.

 

 

Schlüsselleistungs-und Paket-Parameter

 

Parameter Wert Einheit
VDS @ Tj=25°C 800 V
RDS (an), maximal 1,4 Ω
Qg.typ 10 nC
Identifikation 4 A
Eoss@500V 0,9 μJ
VGS (Th), Art 3 V
Esd-Klasse (HBM) 2 /

 

Schreiben Sie/Einrichtungs-Code Paket Markierung Verwandte Links
IPA80R1K4P7 PG-TO 220 FullPAK 80R1K4P7 sehen Sie Anhang A

 

 

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

MASSE UMFASSEN NICHT FORM-BLITZ, VORWÖLBUNGEN ODER TOR-GRATE.

 

 

FAQ


Q: Was kann ich tun, wenn ich eine defekte Produktform A-TEAM SICHERUNG Inc. erhielt?
A: Bitte zuerst sagen uns, dass so bald wie möglich, nachdem wir schicken, Ihnen ein Neues sofort aber uns bitte das defekte Produkt schicken, .you nicht um die Frachtgebühr sich sorgen müssen, die wir für das zahlen.
Q; Sind wir ein Importeur oder ein Hersteller?
A; Wir sind ein Hersteller
Q: Warum Sie uns wählen müssen
A: Qualitätssicherung. Der konkurrenzfähigste Preis und das schnelle Verschiffen


Bitte sagen Sie mir:
Welche Produktbeschreibungen benötigen Sie? wenn Sie um ein Zitat bitten. Ich gebe Ihnen den konkurrenzfähigsten Preis pro als Ihre Anforderungen. Und wir haben viele Arten, damit Sie wählen.


P.S.: Wenn Sie keine Produkte finden können, um Ihre Bedingungen zu erfüllen. begrüßen Sie, um uns die Ausschnittskizzen zu schicken, damit wir uns unsere Berufs- u. beste Dienstleistung Ihnen erbringen können.

Kontaktdaten
dongguan Julun electronics co.,ltd

Ansprechpartner: Julun

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