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Vorübergehende Spannungs-entstör-Diode

Bescheinigung
Gute Qualität Automobilblattsicherungen en ventes
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Kunden-Berichte
Unser Projekt ist sehr schwierig. Zhuolun-Team half uns erfolgreich, die Kosten zu verringern und die Leistungsfähigkeit des Projektes zu erhöhen. Danke!

—— Alcatel Lucent

Ernste und verantwortliche Berufshaltung und in hohem Grade Berufsarbeitsart haben effektiv die Durchführung unseres Projektes gefördert.

—— Labram Adams

Ein vertrauenswürdiger Freund löste schnell mein Problem.

—— Alfred

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Vorübergehende Spannungs-entstör-Diode

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China Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7 usine

Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7

Leistungstransistor-Feld-Effekt MOS-Rohr IPD70R1K4P7S-Reihen-700V CoolMOS P7 Eigenschaften • Extrem - niedrige Verluste wegen sehr niedrigen *Qg FOM RDS (an) und *Eoss RDS (an) • Ausgezeichnetes thermisches ... Read More
2018-12-27 15:14:23
China MOS-Rohrs Leistungstransistor CER FET 700V CoolMOS vorübergehende Unterdrückungstriode usine

MOS-Rohrs Leistungstransistor CER FET 700V CoolMOS vorübergehende Unterdrückungstriode

IPD70R1K4CE, IPS70R1K4CE FET 700V CoolMOS CE-Leistungstransistor MOS-Röhre Eigenschaften • Extrem geringe Verluste durch sehr niedrige FOM Rdson * Qg und Eoss • Sehr hohe Kommutierungsrobustheit • Einfach zu ... Read More
2018-12-27 15:14:07
China Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor usine

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor

Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOSª P7 MOS-Rohr Eigenschaften • Beste in klassefom RDS (an) * Eoss; verringertes Qg, Ciss und Coss • Beste in klassedpak RDS (an) • Beste in klasse Th V (GS) von 3V ... Read More
2018-12-27 15:04:54
China Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE usine

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE Beschreibung CoolMOS™-CER ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungsenergie MOSFETs. Die Hochspannungsfähigkeit kombiniert ... Read More
2018-12-27 15:03:36
China Niedrige elektromagnetische Störung Reihe PG-TO247-3 Infineon-Feldeffekt MOS-Rohrs usine

Niedrige elektromagnetische Störung Reihe PG-TO247-3 Infineon-Feldeffekt MOS-Rohrs

Niedrige elektromagnetische Störung Reihe PG-TO247-3 Infineon-Feldeffekt MOS-Rohrs Anwendungen: • Induktives Kochen • Inverterized-Mikrowellenherde • Resonanzkonverter • Weiche Schaltungsanwendungen Eigenschaft... Read More
2018-12-27 15:03:06
China Spannungs-entstör-Diode 4 der Reihen-DB-s vorübergehende Pin-Gleichrichter-Brücke Db207s usine

Spannungs-entstör-Diode 4 der Reihen-DB-s vorübergehende Pin-Gleichrichter-Brücke Db207s

Gleichrichterdiode der DB-S Reihengleichrichterbrücke 4 Stiftdb207s vorübergehende Spannungs-entstör-Diode Eigenschaften Diese Reihe ist UL, das unter dem anerkannten Teilindex, Aktenzeichen E142814 aufgelistet ... Read More
2018-12-27 14:55:30
China Gleichrichter-Verschlussstopfen in Diode Gbp-Reihe Gbp410 mit Lötmittel überzogenen Anschlüssen usine

Gleichrichter-Verschlussstopfen in Diode Gbp-Reihe Gbp410 mit Lötmittel überzogenen Anschlüssen

GBP-Reihengleichrichterbrückeneinsteckdiode GBP410 vorübergehende Spannungs-entstör-Diode EIGENSCHAFTEN Anstiegsüberlastungsbewertung - 75 Ampere Spitze Ideal für Leiterplatte Plastik hat Versichererlabor ... Read More
2018-12-27 14:55:12
China Schließen Sie vorübergehende Spannungs-entstör-Diodengleichrichter-Brücke Gbl4005 zu Gbl410 an usine

Schließen Sie vorübergehende Spannungs-entstör-Diodengleichrichter-Brücke Gbl4005 zu Gbl410 an

Vorübergehendes Gleichrichterbrücken-Reihensteckverbindung diod der Spannungs-entstör-Dioden-GBL4005-GBL410 EIGENSCHAFTEN Anstiegsüberlastungsbewertung - 135 Ampere Spitze Ideal für Leiterplatte Plastik hat ... Read More
2018-12-27 14:54:45
China Brückengleichrichter 3 passivierte Diode Ampere-Dioden-Kbp310 Glas für Leiterplatte usine

Brückengleichrichter 3 passivierte Diode Ampere-Dioden-Kbp310 Glas für Leiterplatte

3,0 Spannungs-entstör-Diode Amperes Glas passivierte des Brückengleichrichter-KBP310 vorübergehende Eigenschaften Ideal für Leiterplatte Anstiegsüberlastungsbewertung: 65 Ampere Spitze Montageposition: ... Read More
2018-12-27 14:54:24
China Hohe Fall-Durchschlagsfestigkeit des einphasig-Dioden-Brückengleichrichter-D3k606 usine

Hohe Fall-Durchschlagsfestigkeit des einphasig-Dioden-Brückengleichrichter-D3k606

Einphasiges Glas passivierte Spannungs-entstör-Diode des Brückengleichrichter-D3K606 vorübergehende STROM DES SPANNUNGSBEREICH-50 bis 1000 Volt 4,0 Ampere Eigenschaften Ideal für Leiterplatte Hohe Falldurchschl... Read More
2018-12-27 14:54:00
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