Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOS P7 MOS-Rohr Feldeffekttransistor
Produktdetails:
Herkunftsort: | China |
Markenname: | Julun |
Zertifizierung: | CE/UL/VDE/KC/ROHS |
Modellnummer: | PG-TO 220FP |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 100 / Verkäuflich |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Standard Verpackung |
Lieferzeit: | 7 ~ 10 Arbeitstage |
Zahlungsbedingungen: | L/C, D/P, T/T, |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000/Piece/Weekly |
Detailinformationen |
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Case: | TO220FP | Elektrode: | 3 |
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Polarität: | Wie markiert | Montageposition: | keine |
Markieren: | hohe gegenwärtige Schottky-Diode,Schottky Barrier Diode |
Produkt-Beschreibung
Leistungstransistor IPA80R1K4P7 800V CoolMOSª P7 MOS-Rohr
Eigenschaften
• Beste in klassefom RDS (an) * Eoss; verringertes Qg, Ciss und Coss
• Beste in klassedpak RDS (an)
• Beste in klasse Th V (GS) von 3V und kleinste Thveränderung V (GS) von ±0.5V
• Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz
• Völlig - qualifiziertes ACC. JEDEC für industrielle Anwendungen
• Völlig optimiertes Portfolio
Nutzen
• Beste in klasseleistung
• Höherer Energiedichte ermöglichend, entwirft, BOM-Einsparungen und senken
Montagekosten
• Einfach, und zur Ähnlichkeit zu fahren
• Besserer Produktionsertrag, indem er ESD verringerte, bezog sich Ausfälle
• Weniger Produktionsfragen und verringerte Feldrückkehr
• Einfach, rechte Teile für das Einstellen von Entwürfen vorzuwählen
Mögliche Anwendungen
Empfohlen für die harten und weichen Schaltungsrücklauftopologien für LED
Beleuchtung, Ladegeräte der geringen Energie und Adapter, Audio, ZUSATZenergie und
Wirtschaftsmacht. Auch passend für PFC-Stadium in den Verbraucheranwendungen
und Solar.
Parameter | Wert | Einheit |
VDS @ Tj=25°C | 800 | V |
RDS (an), maximal | 1,4 | Ω |
Qg.typ | 10 | nC |
Identifikation | 4 | A |
Eoss@500V | 0,9 | μJ |
VGS (Th), Art | 3 | V |
Esd-Klasse (HBM) | 2 | / |
Schreiben Sie/Einrichtungs-Code | Paket | Markierung | Verwandte Links |
IPA80R1K4P7 | PG-TO 220 FullPAK | 80R1K4P7 | sehen Sie Anhang A |
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